Características:

Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico.

VDDQ = 1.2V típico.

VPP = 2.5V típico.

VDDSPD = 2.2V a 3.6V.

Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara.

Atualização automática de baixa potência (LPASR).

Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados.

Geração e calibração VREFDQ na matriz.

Classificação única.

EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada.

16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada.

Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS).

BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF).

Topologia de passagem.

Comando de controle terminado e barramento de endereço.

PCB: Altura 1,23 ”(31,25 mm).

Compatível com RoHS e sem halogênio.

Especificações:

CL (IDD) = 21 ciclos.

Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.).

Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.).

Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.).

Classificação UL: 94V – 0.

Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC.

Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.