Recursos
Fonte de alimentação: VDD = 1,2V típico
VDDQ = 1,2 V típico
VPP = 2,5 V típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica (ODT) no chip para sinais de dados, estroboscópicos e de máscara
Autoatualização de baixo consumo de energia (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ no chip
Classificação única
EEPROM de detecção de presença serial I2 integrada (SPD)
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Corrigido o corte de rajada (BC) de 4 e o comprimento de rajada (BL) de 8 por meio do conjunto de registros de modo (MRS)
Selecionando BC4 ou BL8 em tempo real (OTF)
Topologia fly-by
Barramento de comando de endereço e controle concluído
PCB: Altura 1,23″ (31,25 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações
CL(IDD): 22 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75 ns (min)
Atualização para ativo/Atualização – Tempo de comando (tRFCmin): 350 ns (min)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32 ns (min)
Classificação UL: 94V – 0
Temperatura operacional: 0°C a +85°C
Temperatura de armazenamento: -55°C a +100°C